产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
IRLR8113TRPBF PDF |
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产品目录绘图 |
IR Hexfet DPak
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标准包装 |
1 |
系列 |
HEXFET® |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss) |
30V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
94A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
6 毫欧 @ 15A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
2.25V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
32nC @ 4.5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
2920pF @ 15V
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功率 - 最大 |
89W
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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供应商设备封装 |
D-Pak
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包装 |
剪切带 (CT)
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产品目录页面 |
1522 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
*IRLR8113TRPBF IRLR8113PBFCT
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